바이오나노학부 나노 공학實驗(실험) 레포트 photoresist
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작성일 22-11-15 13:30
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Photoresist는 빛을 받으면 화학alteration(변화) 를 일으키는 재료로 대표적으로 SU 8-50, AZ5214 등이 있따 이번 test(실험) 의 Photoresist는 AZ5214E이다.
빛이 닿은 부분만 고분자가 응고되는 감광성 수지를 negative photoresist, 빛이 닿은 부분만 고분자가 용해되어 사라지는 감광성 수…(생략(省略))
다.
2. test(실험) 理論(이론)
-Photoresist는 빛을 조사하면 화학 alteration(변화) 를 일으키는 수지를 말하며, 자외선 영역에서 가시광선 영역 파장까지의 빛에 반응하여 용해, 응고의 alteration(변화) 를 일으킨다. develop하기 전에 bake의 정도에 따라 negative image로 나타나는지, positive image로 나타나는지 알아보는 것이 이번 test(실험) 의 목적이다.바이오나노학부 나노 공학實驗(실험) 레포트 photoresist
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실험과제/기타
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나노 工學test(실험) 보고서
Image Reversal using AZ5214E positive photoresist
바이오나노학부
1. Introduction
-Photoresist는 전자소자의 회로와 화상 형성 등에 사용되고 있으며, IC, LSI, 초LSI의 미세하고 복잡한 회로 패턴을 제작하는데 있어서 필수 불가결한 재료의 하나이다. 이번 test(실험) 에서 알아보고자 한 것은 negative와 positive Photoresist의 image차이이다. wafer에 Photoresist를 칠하고, IC의 회로 패턴을 새겨넣은 mask를 광원과 wafer위에 coating된 photoresist 막 사이에 놓고 광원을 켜면 mask에 새겨진 회로가 그대로 photoresist에 옮겨지게 되며 이러한 공정을 photolithographic 이라 한다. 그러나 이번 Photoresist인 AZ5214E는 점도가 그렇게 크지 않았기 때문에 wafer에 spin coating이 잘 되었다. 이 test(실험) 에 앞서 진행했던 Photoresisttest(실험) 에서는 SU 8-100을 사용했었는데, 이는 점도가 너무 커서 wafer에 spin coating이 잘 되지 않았었다.
